国内刊号:11-2283/TM
国际刊号:1003-3076
发布日期:
作者:朱梓悦1, 秦海鸿2, 陈迪克1, 潘国威1
单位:1. 常州大学华罗庚学院 机器人产业学院, 江苏 常州 213164;
\r\n2. 多电飞机电气系统工业与信息化部重点实验室, 南京航空航天大学, 江苏 南京 211106
关键词:SiC MOSFET, 并联开关管, 电-热分布预测模型
基金:国家自然科学基金(51677089)、 常州大学2020年校级教研课题项目(GJY20020095)
SiC MOSFET分立器件的并联已在中大功率的电力电子设备中广泛使用,为充分利用并联使用的优势,避免不当并联可能产生的电热失衡现象,需提前预测开关管并联工作时的稳态电-热分布情况。而由于半导体器件在生产过程中的差异性不可避免,即使是同一厂商生产的同一型号SiC MOSFET,在关键参数如阈值电压UTH和导通电阻RDS(ON)上都有所差异,而这些参数正是影响器件并联动静态电流分布和电-热分布的关键参数。本文研究了影响器件并联动静态电流分布和电-热分布的因素以及关键参数的温度分布特性,并在此基础上提出了一种电-热分布特性的预测模型,最后搭建了实验平台验证了预测模型的准确性。
来源:2021年第12期
《电工电能新技术》期刊编辑部