电工电能新技术

作者：张妍1， 诸嘉慧2， 陈盼盼2， 王海洋1， 秦汉阳3， 戴银明4，王晖4， 刘辉4， 方进1

单位：1. 北京交通大学电气工程学院， 北京 100044；
\r\n2. 中国电力科学研究院有限公司， 北京 100192；
\r\n3. 北方工业大学电气工程与控制学院， 北京 100144；
\r\n4. 中国科学院电工研究所， 北京 100190

关键词：分裂背场磁体, 临界电流, n值, 高温超导带材, NbTi

基金：预研领域基金项目（6140721020406）

为掌握第二代（2G）高温超导（HTS）带材在0~3.5 T直流背景磁场下的临界电流（Ic）和n值变化趋势，构造和应用了一种新型分裂背场磁体系统，通过测试分析获得了背景磁场对Ic和n值的影响规律。采用4.2 K运行温度、两个同轴分裂的NbTi线圈构成的超导磁体和样品保持器来改变背景磁场的大小和角度（0～3.5 T、0～90°），2G HTS带材置于液氮环境（77 K），设置电流源上升速率为1 A/s，基于四引线法原理与直流失超判据（1 μV/cm）获得2G HTS带材在高直流背景磁场下的Ic和n值，实验结果表明，2G HTS带材的Ic和n值变化趋势一致，均随外界磁场强度B和带材表面与磁场夹角θ的增大而退化，在背景磁场为1.4 T时，2G HTS带材在垂直场下的临界电流衰减了84.6%，是平行场下临界电流衰减程度的1.47倍。

来源：2020年第7期

《电工电能新技术》期刊编辑部

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