电工电能新技术

作者：张英1， 秦海鸿1， 彭子和1， 修强1， 荀倩2

单位：1. 多电飞机电气系统工业与信息化部重点实验室， 南京航空航天大学， 江苏 南京 211106；
2. 查尔姆斯理工大学， 瑞典 哥德堡 999034

关键词：增强型GaN HEMT, 短路特性, 短路保护, 温度依赖性

基金：基金项目:国家自然科学基金项目（51677089）、 中央高校基本科研业务费专项资金项目（NJ20160047）、 江苏省研究生科研与实践创新计划项目（KYCX18_0287）

增强型GaN HEMT（eGaN HEMT）可以大幅提升变换器的效率和功率密度，具有广泛的应用前景。但实际应用中由桥臂串扰引起的误导通，以及负载侧短路等都会导致eGaN HEMT流过较大的电流。因此，为了确保eGaN HEMT在过载、短路等工况下安全可靠工作，必须深入探究eGaN HEMT的短路工作原理以及电路参数对其短路特性的影响。本文首先建立了硬开关模式下的短路测试平台对eGaN HEMT的短路过程进行了研究，并利用eGaN HEMT热网络模型，分析了其短路过程中结温变化情况，进一步地探究了不同结温对其短路特性的影响。在此基础上对不同电路参数对eGaN HEMT短路特性的影响进行研究和对比，揭示了影响eGaN HEMT短路特性关键因素，为eGaN HEMT短路保护设计提供了一定的指导。

来源：2020年第2期

《电工电能新技术》期刊编辑部

查看电工电能新技术杂志2020年第2期