国内刊号:11-2283/TM
国际刊号:1003-3076
发布日期:
作者:陈艳峰, 丘东元, 张波, 袁昌海, 谭斌冠, 卢曰海, 韦兆华
单位:华南理工大学电力学院, 广东 广州 510641
关键词:忆阻器, 电路模型, 功率半导体器件, 直流断路器
基金:广东省自然科学基金团队项目(2017B030312001)
由于纳米尺度的忆阻器件不能直接用于电路研究,目前仍通过搭建等效电路的方法实现忆阻元件的功能。有别于采用模拟器件的忆阻器等效电路模型,本文提出了几种基于电力电子变换器的大功率忆阻器实现方法,这些方法的共同特点是电路模型的功率等级由功率半导体器件参数决定。接着,本文制作了一台磁控型忆阻器原理样机,仿真和实验结果证明该忆阻器电路模型具有功率调节范围大、忆阻特性易于调整等优点。最后,本文探讨了忆阻器在直流断路器等大功率场合的应用,为拓展忆阻器今后的应用提供了参考。
来源:2019年第5期
《电工电能新技术》期刊编辑部