国内刊号:11-2283/TM
国际刊号:1003-3076
发布日期:
作者:黎晓, 马红波, 庞亮
单位:西南交通大学电气工程学院, 四川 成都 611756
关键词:无桥PFC, SiC MOSFET, 驱动设计, 高效率
基金:国家自然科学基金项目(51407149;51777176;61733015)、 中央高校基本科研业务费专项资金项目(2018GF03)
与传统Boost PFC变换器相比,无桥Boost PFC变换器减少了低频回路上二极管的数量,具有高效率和高功率密度的特点。SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,具有开关频率高、温度特性好和导通损耗小的优点。为使SiC MOSFET安全可靠地工作,通过对SiC MOSFET特性的分析,设计了SiC MOSFET驱动电路。以此为基础,设计了一款90~265V输入、1?5kW Dual?Boost无桥PFC原理样机。实验结果证明了方案的合理性和先进性。
来源:2018年第10期
《电工电能新技术》期刊编辑部