电工电能新技术

作者：郭心宇1,2， 白云2， 雷天民1

单位：1. 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院， 陕西 西安 710071；
\r\n2. 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心， 北京 100029

关键词：功率器件, 超结, VDMOS

基金：国家重点研发计划项目（2016YFB0100601）

在高耐压器件中，保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键，超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真，得到了击穿电压为1680V，比导通电阻为0?60mΩ·cm2的超结VDMOS器件。

来源：2018年第10期

《电工电能新技术》期刊编辑部

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