电工电能新技术

作者：宋瓘1,2， 白云2， 顾航2， 陈宏2， 谭犇2， 杜丽霞1

单位：1. 兰州交通大学电子与信息工程学院， 甘肃 兰州 730070；
\r\n2. 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心， 北京 100029

关键词：4H-SiC,MOSFET,CIMOSFET,比导通电阻,栅氧化层电场

基金：国家重点研发计划项目（2016YFB0100601）

提出了一种1200V 4H?SiC CIMOSFET优化结构。该结构在JFET区引入P型注入，以降低栅氧化层电场，提高器件的可靠性；在积累区引入N型注入，以降低器件的比导通电阻，提高器件的电流能力。通过Silvaco软件进行仿真，对器件各项参数优化，并对器件性能进行简要说明与分析，与传统1200V 4H?SiC MOSFET相比，其比导通电阻增加0?59mΩ·cm2，VDS=1200V时，栅氧化层电场强度下降1?52MV/cm。

来源：2018年第10期

《电工电能新技术》期刊编辑部

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