电工电能新技术

作者：段卓琳1,2,3,4， 范涛1,3,4， 张栋1,3,4， 温旭辉1,3,4

单位：1. 中国科学院电工研究所， 北京 100190；
\r\n2. 中国科学院大学， 北京 100049；
\r\n3. 中国科学院电力电子与电力传动重点实验室， 北京 100190；
\r\n4. 北京电动车辆协同创新中心， 北京 100190

关键词：SiC, 三相逆变器, EMI

基金：国家重点专项项目（2016YFB0100600）。

三相逆变器中的开关器件快速开关动作产生高的du/dt、di/dt，在系统寄生参数的作用下产生了电磁干扰（EMI），影响系统的可靠运行。相比较Si器件，SiC器件具有很多优势，在三相逆变器系统中得到了越来越多的应用。但是，SiC器件的开关频率更高，开关速度更快，使得其电磁干扰问题也更严重。本文通过对全SiC三相逆变器传导电磁干扰的干扰源及传播路径进行建模，采用时域仿真加快速傅里叶变换（FFT)的方法预测了电源端口处的传导干扰，在10kHz～30MHz的频段范围内，仿真结果与实测结果基本吻合，验证了所建模型的正确性。

来源：2018年第1期

《电工电能新技术》期刊编辑部

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